國家存儲器基地在武漢光谷正式開(kāi)工建設
發(fā)布時(shí)間：2016-04-01 來(lái)源：網(wǎng)易科技
國家存儲器基地28日在武漢光谷正式開(kāi)工建設。據悉，基地建設包括芯片制造、產(chǎn)業(yè)鏈配套等，將在5年內投資240億美元（約1600億人民幣），預計到2020年形成月產(chǎn)30萬(wàn)片的生產(chǎn)規模。
存儲器是信息系統的基礎核心芯片。2015年，發(fā)展存儲器上升為國家戰略。2006年，湖北省、武漢市投資100億元在武漢光谷建設了武漢新芯12英寸晶圓制造項目。經(jīng)過(guò)10年的打造，成為我國重要的集成電路產(chǎn)業(yè)聚集區之一。
集成電路是我國最大宗的單一進(jìn)口產(chǎn)品，而存儲器則是最大宗集成電路產(chǎn)品。華中科技大學(xué)超大規模集成電路與系統研究中心主任鄒雪城教授介紹，2013年，我國進(jìn)口的集成電路產(chǎn)品的1/3就是存儲器，總金額達717億美元。
當前全球存儲器行業(yè)正處于發(fā)展的轉折期，傳統芯片制造工藝接近物理極限，新型存儲器技術(shù)距離大規模產(chǎn)業(yè)化還有5—10年時(shí)間。武漢市委常委、東湖高新區管委會(huì )黨工委書(shū)記胡立山說(shuō)，通過(guò)立體堆疊Flash工藝開(kāi)發(fā)來(lái)提高芯片集成度正成國際大公司的主攻方向，武漢新芯的提前布局為中國存儲器產(chǎn)業(yè)發(fā)展實(shí)現“彎道超車(chē)”提供難得歷史性機遇。
據介紹，這一存儲器基地項目以芯片制造環(huán)節為突破口，集存儲器產(chǎn)品設計、技術(shù)研發(fā)、晶圓生產(chǎn)與測試、銷(xiāo)售于一體，集合已經(jīng)在光谷地區形成規模的顯示產(chǎn)業(yè)（天馬、華星光電）、智能終端產(chǎn)業(yè)（華為、聯(lián)想、富士康），將打造萬(wàn)億級的芯片—顯示—智能終端全產(chǎn)業(yè)鏈生態(tài)體系，使武漢光谷成為國內乃至全球最密集的電子信息產(chǎn)業(yè)基地。
